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具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410008455.8
申请日：
2014-01-09
公开(公告)号：
CN103715257B
公开(公告)日：
2014-04-09
发明(设计)人：
董志华 蔡勇 于国浩 张宝顺
申请人：
申请人地址：
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L2940 H01L21335
代理机构：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人：
王锋
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-04-09 公开 公开
2020-12-22 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20201210 变更事项:专利权人 变更前权利人:浙江知多多网络科技有限公司 变更后权利人:嘉兴寻斧新材料科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:310016 浙江省杭州市江干区高德置地中心1号楼3003室-1 变更后权利人:314051 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇广益路3333号8幢1004室-5
2021-01-05 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20201223 变更事项:专利权人 变更前权利人:嘉兴寻斧新材料科技有限公司 变更后权利人:江苏苏亚重工科技有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:314051 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇广益路3333号8幢1004室-5 变更后权利人:224002 江苏省盐城市经济技术开发区泰山南路55号5幢
2021-03-09 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20210225 变更事项:专利权人 变更前权利人:江苏苏亚重工科技有限公司 变更后权利人:江苏盐综产业投资发展有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:224002 江苏省盐城市经济技术开发区泰山南路55号5幢 变更后权利人:224002 江苏省盐城市经济技术开发区希望大道南路18号综合保税区商务楼1209室
2016-11-09 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741383944 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100084558 登记生效日:20161020 变更事项:申请人 变更前权利人:苏州能屋电子科技有限公司 变更后权利人:杭州电子科技大学 变更事项:地址 变更前权利人:215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B室 变更后权利人:310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
2014-05-07 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582048697 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100084558 申请日:20140109
2017-01-18 授权 授权
共 50 条
[1]
具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16
[2]
具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16
[3]
具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P]. 
董志华 ;
蔡勇 ;
于国浩 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09
[4]
一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P]. 
吴华龙 ;
赵维 ;
何晨光 ;
张康 ;
贺龙飞 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19
[5]
一种背面场板结构HEMT器件 [P]. 
吴华龙 ;
赵维 ;
何晨光 ;
张康 ;
贺龙飞 ;
陈志涛 .
中国专利 :CN207183255U ,2018-04-03
[6]
具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王黎明 ;
肖霞 ;
何雍春 .
中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25
[7]
具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
陈丁波 ;
刘智崑 ;
万利军 .
中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29
[8]
具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
陈丁波 ;
刘智崑 ;
万利军 .
中国专利 :CN108231882B ,2024-12-31
[9]
具有背场板结构的HEMT器件 [P]. 
李国强 ;
陈丁波 ;
刘智崑 ;
万利军 .
中国专利 :CN207925478U ,2018-09-28
[10]
多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法 [P]. 
孙慧卿 ;
夏晓宇 ;
夏凡 ;
马建铖 ;
李渊 ;
谭秀洋 ;
张淼 ;
郭志友 ;
黄志辉 ;
丁霄 ;
王鹏霖 .
中国专利 :CN112635552A ,2021-04-09
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