一种背面场板结构HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721100656.6

申请日：

2017-08-30

公开(公告)号：

CN207183255U

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

吴华龙赵维何晨光张康贺龙飞陈志涛

申请人：

申请人地址：

510651 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L23373

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335 H01L29778

代理机构：

广东世纪专利事务所 44216

代理人：

刘卉

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/373 变更事项:专利权人变更前:广东省半导体产业技术研究院变更后:广东省科学院半导体研究所变更事项:地址变更前:510651 广东省广州市天河区长兴路363号变更后:510651 广东省广州市天河区长兴路363号
2018-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

[2]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[3]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[4]

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16

[5]

具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09

[6]

一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件 [P].

李月华 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

张瑞浩 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222395996U ,2025-01-24

[7]

具有背场板结构的HEMT器件 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN207925478U ,2018-09-28

[8]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

[9]

多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏晓宇 ;

夏凡 ;

马建铖 ;

李渊 ;

谭秀洋 ;

张淼 ;

郭志友 ;

黄志辉 ;

丁霄 ;

王鹏霖 .

中国专利 :CN112635552A ,2021-04-09

[10]

一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法 [P].

张志 ;

王凡 ;

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN118675979A ,2024-09-20

← 1 2 3 4 5 →