一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420834371.9

申请日：

2024-04-22

公开(公告)号：

CN222395996U

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

李月华万发雨徐儒张瑞浩徐佳闰

申请人：

南京信息工程大学

申请人地址：

210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/00 H10D64/27

代理机构：

北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357

代理人：

杨威

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李月华 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

张瑞浩 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222395995U ,2025-01-24

[2]

一种背面场板结构HEMT器件 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN207183255U ,2018-04-03

[3]

一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构 [P].

施宁萍 ;

周炳 ;

翁加付 ;

毛建达 .

中国专利 :CN216488069U ,2022-05-10

[4]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[5]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[6]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[7]

具有背场板结构的HEMT器件 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN207925478U ,2018-09-28

[8]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

[9]

一种GaN基HEMT器件栅场板结构的制备方法 [P].

蔡树军 ;

魏应强 .

中国专利 :CN117594445A ,2024-02-23

[10]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

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