一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420778935.1

申请日：

2024-04-16

公开(公告)号：

CN222395995U

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

李月华万发雨徐儒张瑞浩徐佳闰

申请人：

南京信息工程大学

申请人地址：

210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357

代理人：

郭杰文

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件 [P].

李月华 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

张瑞浩 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222395996U ,2025-01-24

[2]

一种自对准T型栅GaN基HEMT器件结构及制备方法 [P].

刘志宏 ;

王仝 ;

李振元 ;

周瑾 ;

危虎 ;

吴银河 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119208370A ,2024-12-27

[3]

具有Г型栅的GaN基MIS-HEMT器件 [P].

王洪 ;

陈竟雄 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN211929496U ,2020-11-13

[4]

一种新型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李宝国 ;

马京路 ;

韩威 ;

张书敬 ;

张达泉 ;

孙丞 ;

杨荣 .

中国专利 :CN205920974U ,2017-02-01

[5]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[6]

一种新型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李宝国 ;

马京路 ;

韩威 ;

张书敬 ;

张达泉 ;

孙丞 ;

杨荣 .

中国专利 :CN106098770A ,2016-11-09

[7]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[8]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[9]

一种具有侧壁场板的凸型栅增强型GaN基HEMT器件结构 [P].

田康凯 ;

贾兴宇 ;

刘亚津 .

中国专利 :CN215988772U ,2022-03-08

[10]

一种具有双栅结构的耗尽型GaN HEMT器件及其应用 [P].

魏进 ;

余晶晶 .

中国专利 :CN118553777A ,2024-08-27

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