一种新型栅结构的GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610638795.8

申请日：

2016-08-08

公开(公告)号：

CN106098770A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

李宝国马京路韩威张书敬张达泉孙丞杨荣

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园4-B403单元

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

黄杭飞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101690450045 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2016106387958 申请日:20160808
2016-11-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种新型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李宝国 ;

马京路 ;

韩威 ;

张书敬 ;

张达泉 ;

孙丞 ;

杨荣 .

中国专利 :CN205920974U ,2017-02-01

[2]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[3]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[4]

一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李月华 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

张瑞浩 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222395995U ,2025-01-24

[5]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[6]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[7]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[8]

多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

余阳 ;

李仁杰 ;

王东歌 ;

高枫 .

中国专利 :CN114937598A ,2022-08-23

[9]

GaN基HEMT器件栅极结构 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

康玄武 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106549051A ,2017-03-29

[10]

一种GaN基HEMT器件栅场板结构的制备方法 [P].

蔡树军 ;

魏应强 .

中国专利 :CN117594445A ,2024-02-23

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