多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210443379.8

申请日：

2022-04-25

公开(公告)号：

CN114937598A

公开(公告)日：

2022-08-23

发明(设计)人：

郑礼锭余阳李仁杰王东歌高枫

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2910 H01L29778

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	公开	公开
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20220425

共 50 条

[1]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[2]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[3]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[4]

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113793868A ,2021-12-14

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[6]

集成栅保护结构的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN113113484A ,2021-07-13

[7]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[8]

GaN基HEMT器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

伊艾伦 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530803B ,2021-03-19

[9]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[10]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

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