GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110995703.2

申请日：

2021-08-27

公开(公告)号：

CN113793868A

公开(公告)日：

2021-12-14

发明(设计)人：

马旺陈龙程静云陈祖尧王洪朝袁理

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市即墨区服装工业园孔雀河三路56号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335 C30B2516 C30B2938 C30B2940

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	公开	公开
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210827

共 50 条

[1]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[2]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[3]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[4]

蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

张晓庆 ;

武杰 ;

徐亮 .

中国专利 :CN117790308A ,2024-03-29

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[6]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[7]

HEMT外延结构及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117153878B ,2024-02-20

[8]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[9]

一种GaN基HEMT器件外延结构 [P].

何佳琦 ;

王书昶 ;

孙智江 .

中国专利 :CN108364997A ,2018-08-03

[10]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

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