GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110269229.5

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113035934B

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

郑礼锭秦芳婷黄捷左亚丽马飞

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L29417 H01L29423 H01L29778 H01L21335 H01L2128

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[2]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[3]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[4]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[5]

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113793868A ,2021-12-14

[6]

GaN基HEMT器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 ;

伊艾伦 ;

徐文慧 .

中国专利 :CN112530803B ,2021-03-19

[7]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[8]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[9]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[10]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210312
2022-07-05	授权	授权
2021-06-25	公开	公开