GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111344640.0

申请日：

2021-11-15

公开(公告)号：

CN113793805B

公开(公告)日：

2021-12-14

发明(设计)人：

王文博程永健李家辉邹鹏辉李哲

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L23373

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-11	授权	授权
2021-12-14	公开	公开
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20211115

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[2]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[3]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[4]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[5]

纵向GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119521708A ,2025-02-25

[6]

GaN-HEMT器件及其制备方法 [P].

陈泓 ;

陈奋 ;

林志东 ;

刘潇 ;

田金勇 ;

刘成 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN118763098A ,2024-10-11

[7]

GaN基HEMT器件制备方法 [P].

敦少博 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

韩婷婷 ;

吕元杰 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN105428314A ,2016-03-23

[8]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[9]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[10]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 ;

朱乾坤 .

中国专利 :CN119855209A ,2025-04-18

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