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GaN-HEMT器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410840447.3
申请日：
2024-06-26
公开(公告)号：
CN118763098A
公开(公告)日：
2024-10-11
发明(设计)人：
陈泓
陈奋
林志东
刘潇
田金勇
刘成
叶念慈
申请人：
湖南三安半导体有限责任公司
申请人地址：
410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号
IPC主分类号：
H01L29/423
IPC分类号：
H01L21/336
H01L29/778
代理机构：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人：
许昌莲
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
河北省
石家庄市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20240626 |
| 2024-10-11 | 公开 | 公开 |