纵向GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411357994.2

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN119521708A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

冯开勇王刚杨光

申请人：

无锡博通微电子技术有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢15层1502

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/27 H10D30/01

代理机构：

深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542

代理人：

卢东娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20240927
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[2]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[3]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[4]

GaN-HEMT器件及其制备方法 [P].

陈泓 ;

陈奋 ;

林志东 ;

刘潇 ;

田金勇 ;

刘成 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN118763098A ,2024-10-11

[5]

P型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119545842A ,2025-02-28

[6]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 ;

朱乾坤 .

中国专利 :CN119855209A ,2025-04-18

[7]

一种纵向GaN HEMT功率器件 [P].

李泽宏 ;

叶钰麒 ;

赵一尚 ;

任敏 .

中国专利 :CN115332335A ,2022-11-11

[8]

高速纵向GaN开关器件及其制备方法 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN120111929A ,2025-06-06

[9]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[10]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

← 1 2 3 4 5 →