GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201521049125.X

申请日：

2015-12-16

公开(公告)号：

CN205159335U

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

陈一峰

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29417

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

胡川

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751101717 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL201521049125X 变更事项:专利权人变更前:成都嘉石科技有限公司变更后:成都海威华芯科技有限公司变更事项:地址变更前:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内变更后:610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
2016-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN MIS沟道HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN207068860U ,2018-03-02

[2]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[3]

一种GaN基HEMT器件 [P].

尹以安 ;

曾妮 ;

李锴 .

中国专利 :CN210837767U ,2020-06-23

[4]

GaN HEMT器件欧姆接触电极及GaN HEMT器件 [P].

崔玉兴 ;

谭永亮 ;

樊帆 ;

毕胜赢 ;

胡泽先 ;

张力江 .

中国专利 :CN207818573U ,2018-09-04

[5]

一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN205680686U ,2016-11-09

[6]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[7]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[8]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[9]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[10]

等比例缩小的GaN HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN205670541U ,2016-11-02

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