一种GaN基HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920477520.X

申请日：

2019-04-09

公开(公告)号：

CN210837767U

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

尹以安曾妮李锴

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/778 登记生效日:20220111 变更事项:专利权人变更前权利人:华南师范大学变更后权利人:江苏第三代半导体研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:510631 广东省广州市天河区中山大道西55号变更后权利人:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
2020-06-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[2]

一种GaN基HEMT器件 [P].

陈万军 ;

王方洲 ;

许晓锐 ;

孙瑞泽 ;

信亚杰 ;

夏云 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN111490101B ,2020-08-04

[3]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[4]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[5]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[6]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[7]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[8]

一种GaN MIS沟道HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN207068860U ,2018-03-02

[9]

一种GaN基双异质结HEMT器件 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN205376535U ,2016-07-06

[10]

一种GaN基HEMT器件 [P].

文正 ;

孟迪 ;

林书勋 ;

郝一龙 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN104167438A ,2014-11-26

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