一种GaN MIS沟道HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720738269.9

申请日：

2017-06-23

公开(公告)号：

CN207068860U

公开(公告)日：

2018-03-02

发明(设计)人：

倪炜江袁俊杨永江张敬伟李明山孙安信

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L29778

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

张宇锋

法律状态：

专利权的保全及其解除

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-18	专利权的保全及其解除	专利权的保全 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623 授权公告日:20180302 登记生效日:20180814
2018-03-02	授权	授权
2020-09-11	专利权的保全及其解除	专利权保全的解除 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170623 授权公告日:20180302 解除日:20200810

共 50 条

[1]

一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN107240605A ,2017-10-10

[2]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[3]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[4]

一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN205680686U ,2016-11-09

[5]

一种GaN基HEMT器件 [P].

尹以安 ;

曾妮 ;

李锴 .

中国专利 :CN210837767U ,2020-06-23

[6]

一种GaN HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206322705U ,2017-07-11

[7]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[8]

一种纵向GaN HEMT功率器件 [P].

李泽宏 ;

叶钰麒 ;

赵一尚 ;

任敏 .

中国专利 :CN115332335A ,2022-11-11

[9]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN205666237U ,2016-10-26

[10]

一种GaN基HEMT器件 [P].

陈万军 ;

王方洲 ;

许晓锐 ;

孙瑞泽 ;

信亚杰 ;

夏云 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN111490101B ,2020-08-04

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