一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620479048.X

申请日：

2016-05-24

公开(公告)号：

CN205666237U

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

任舰顾晓峰闫大为

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29201 H01L29207 H01L29778

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	授权	授权
2020-05-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20160524 授权公告日:20161026 终止日期:20190524

共 50 条

[1]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN105870165A ,2016-08-17

[2]

一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件 [P].

张瑞浩 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

李月华 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222582863U ,2025-03-07

[3]

一种薄势垒层GaN基HEMT器件 [P].

肖文波 ;

孙雪琴 ;

黄乐 ;

李京波 ;

吴华明 .

中国专利 :CN220358096U ,2024-01-16

[4]

一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件 [P].

杨国锋 .

中国专利 :CN112289853A ,2021-01-29

[5]

一种插入绝缘埋层的InAlN-GaN HEMT器件 [P].

任舰 .

中国专利 :CN209785943U ,2019-12-13

[6]

一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法 [P].

段小玲 ;

马浩 ;

张涛 ;

张进成 ;

王树龙 ;

宁静 ;

周弘 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113937155B ,2024-01-19

[7]

一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法 [P].

段小玲 ;

马浩 ;

张涛 ;

张进成 ;

王树龙 ;

宁静 ;

周弘 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113937155A ,2022-01-14

[8]

一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

邢东 ;

冯志红 ;

刘波 ;

房玉龙 ;

敦少博 ;

张雄文 ;

蔡树军 .

中国专利 :CN102290439B ,2011-12-21

[9]

一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件 [P].

万发雨 ;

张瑞浩 ;

徐儒 ;

李月华 ;

徐佳闰 ;

赵星 .

中国专利 :CN222564254U ,2025-03-04

[10]

一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件 [P].

肖文波 ;

孙雪琴 ;

黄乐 ;

李京波 ;

吴华明 .

中国专利 :CN220358098U ,2024-01-16

← 1 2 3 4 5 →