一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111150529.8

申请日：

2021-09-29

公开(公告)号：

CN113937155B

公开(公告)日：

2024-01-19

发明(设计)人：

段小玲马浩张涛张进成王树龙宁静周弘郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/201 H01L29/207 H01L29/778 H01L21/335

代理机构：

西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218

代理人：

惠文轩

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法 [P].

段小玲 ;

马浩 ;

张涛 ;

张进成 ;

王树龙 ;

宁静 ;

周弘 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113937155A ,2022-01-14

[2]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN105870165A ,2016-08-17

[3]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN205666237U ,2016-10-26

[4]

一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件 [P].

张瑞浩 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

李月华 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222582863U ,2025-03-07

[5]

一种薄势垒层GaN基HEMT器件 [P].

肖文波 ;

孙雪琴 ;

黄乐 ;

李京波 ;

吴华明 .

中国专利 :CN220358096U ,2024-01-16

[6]

一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件 [P].

肖文波 ;

孙雪琴 ;

黄乐 ;

李京波 ;

吴华明 .

中国专利 :CN220358098U ,2024-01-16

[7]

一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法 [P].

黄火林 ;

孙楠 ;

孙仲豪 ;

赵程 .

中国专利 :CN111081763A ,2020-04-28

[8]

一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件 [P].

杨国锋 .

中国专利 :CN112289853A ,2021-01-29

[9]

基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823684A ,2021-12-21

[10]

基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P].

李鑫 .

中国专利 :CN113823684B ,2024-07-30

← 1 2 3 4 5 →