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基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111007261.2
申请日：
2021-08-30
公开(公告)号：
CN113823684A
公开(公告)日：
2021-12-21
发明(设计)人：
李鑫
申请人：
申请人地址：
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L2134
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-21 | 公开 | 公开 |
| 2022-01-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210830 |