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基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111007314.0
申请日
:
2021-08-30
公开(公告)号
:
CN113823686A
公开(公告)日
:
2021-12-21
发明(设计)人
:
李鑫
申请人
:
申请人地址
:
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2134
代理机构
:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
:
刘长春
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210830
2021-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823686B
,2024-07-30
[2]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823683B
,2024-07-30
[3]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823683A
,2021-12-21
[4]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823682A
,2021-12-21
[5]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823682B
,2024-07-26
[6]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823684A
,2021-12-21
[7]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823684B
,2024-07-30
[8]
基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113871477A
,2021-12-31
[9]
基于栅极场板和漏极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823687A
,2021-12-21
[10]
基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113871477B
,2024-08-16
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