基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111007314.0
申请日
2021-08-30
公开(公告)号
CN113823686A
公开(公告)日
2021-12-21
发明(设计)人
李鑫
申请人
申请人地址
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2134
代理机构
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
刘长春
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
基于双异质结和异质集成衬底的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823686B ,2024-07-30
[2]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823683B ,2024-07-30
[3]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823683A ,2021-12-21
[4]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823682A ,2021-12-21
[5]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823682B ,2024-07-26
[6]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823684A ,2021-12-21
[7]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823684B ,2024-07-30
[8]
基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113871477A ,2021-12-31
[9]
基于栅极场板和漏极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113823687A ,2021-12-21
[10]
基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李鑫 .
中国专利 :CN113871477B ,2024-08-16