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基于栅极场板和源极场板的双异质结HEMT器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111007267.X
申请日：
2021-08-30
公开(公告)号：
CN113871477B
公开(公告)日：
2024-08-16
发明(设计)人：
李鑫
申请人：
瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请人地址：
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
IPC主分类号：
H01L29/778
IPC分类号：
H01L29/40
H01L21/34
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-08-16 | 授权 | 授权 |
| 2024-12-31 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:专利权人变更前:瑶芯微电子科技（上海）有限公司变更后:瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室变更后:201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区丹桂路999弄11号 |