学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
基于复合盖帽层/介质层/钝化层的HEMT器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111007279.2
申请日
:
2021-08-30
公开(公告)号
:
CN113823685A
公开(公告)日
:
2021-12-21
发明(设计)人
:
李鑫
申请人
:
申请人地址
:
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2134
代理机构
:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
:
刘长春
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210830
2021-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
基于复合盖帽层/介质层/钝化层的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823685B
,2024-08-20
[2]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823682A
,2021-12-21
[3]
基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823682B
,2024-07-26
[4]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823683B
,2024-07-30
[5]
基于双异质结和复合钝化层的HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823683A
,2021-12-21
[6]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鑫
.
中国专利
:CN113823684A
,2021-12-21
[7]
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
[P].
李鑫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
瑶芯微电子科技(上海)有限公司
李鑫
.
中国专利
:CN113823684B
,2024-07-30
[8]
基于叠层钝化结构的HEMT器件及其制备方法
[P].
马晓华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
马晓华
;
祝杰杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
祝杰杰
;
陈丽香
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈丽香
;
杨凌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨凌
;
刘捷龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘捷龙
.
中国专利
:CN108666216A
,2018-10-16
[9]
叠层栅介质层的增强型HEMT器件及其制备方法
[P].
李利哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李利哲
;
王国斌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王国斌
.
中国专利
:CN114883193A
,2022-08-09
[10]
具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张韵
;
谢树杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
谢树杰
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
刘喆
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
张连
;
何佳恒
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
何佳恒
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
程哲
.
中国专利
:CN117936577A
,2024-04-26
←
1
2
3
4
5
→