一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421020068.1

申请日：

2024-05-11

公开(公告)号：

CN222582863U

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

张瑞浩万发雨徐儒李月华徐佳闰

申请人：

南京信息工程大学

申请人地址：

210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/85

代理机构：

北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357

代理人：

杨威

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件 [P].

杨国锋 .

中国专利 :CN112289853A ,2021-01-29

[2]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN205666237U ,2016-10-26

[3]

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P].

任舰 ;

顾晓峰 ;

闫大为 .

中国专利 :CN105870165A ,2016-08-17

[4]

一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件 [P].

万发雨 ;

张瑞浩 ;

徐儒 ;

李月华 ;

徐佳闰 ;

赵星 .

中国专利 :CN222564254U ,2025-03-04

[5]

一种薄势垒层GaN基HEMT器件 [P].

肖文波 ;

孙雪琴 ;

黄乐 ;

李京波 ;

吴华明 .

中国专利 :CN220358096U ,2024-01-16

[6]

一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件 [P].

周春华 ;

廖志康 ;

周琦 ;

韩阳 ;

柏鹏翔 ;

吴桐 ;

张波 .

中国专利 :CN116207128B ,2025-11-14

[7]

一种双异质结结构的背势垒GaN HEMT结构 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206301803U ,2017-07-04

[8]

一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法 [P].

段小玲 ;

马浩 ;

张涛 ;

张进成 ;

王树龙 ;

宁静 ;

周弘 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113937155B ,2024-01-19

[9]

一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法 [P].

段小玲 ;

马浩 ;

张涛 ;

张进成 ;

王树龙 ;

宁静 ;

周弘 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113937155A ,2022-01-14

[10]

一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件 [P].

李月华 ;

万发雨 ;

徐儒 ;

张瑞浩 ;

徐佳闰 .

中国专利 :CN222395995U ,2025-01-24

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