GaN基双沟道HEMT器件

被引：0

申请号：

CN202011264376.5

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN114497207A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

郭炜叶继春戴贻钧

申请人：

申请人地址：

315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29205

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201112

共 50 条

[1]

双沟道HEMT器件及其制造方法 [P].

F·尤克拉诺 ;

A·齐尼 .

中国专利 :CN107452791A ,2017-12-08

[2]

一种GaN MIS沟道HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN207068860U ,2018-03-02

[3]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[4]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[5]

双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法 [P].

苏军 ;

高天 .

中国专利 :CN119092541A ,2024-12-06

[6]

一种GaN基HEMT器件 [P].

陈万军 ;

王方洲 ;

许晓锐 ;

孙瑞泽 ;

信亚杰 ;

夏云 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN111490101B ,2020-08-04

[7]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[8]

一种GaN基HEMT器件 [P].

尹以安 ;

曾妮 ;

李锴 .

中国专利 :CN210837767U ,2020-06-23

[9]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689B ,2025-03-18

[10]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689A ,2024-05-10

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