一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410056570.6

申请日：

2024-01-15

公开(公告)号：

CN118016689B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

吴畅刘安王凯李程程周瑞刘捷龙黄镇何琦邢绍琨

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/17 H10D30/01

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

张文静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-10	公开	公开
2025-03-18	授权	授权
2024-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20240115

共 50 条

[1]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689A ,2024-05-10

[2]

GaN基双沟道HEMT器件 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 .

中国专利 :CN114497207A ,2022-05-13

[3]

一种GaN MIS沟道HEMT器件 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN207068860U ,2018-03-02

[4]

一种多沟道GaN HEMT器件及制作方法 [P].

高旭 .

中国专利 :CN115332322A ,2022-11-11

[5]

具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件及制备方法 [P].

王荣华 .

中国专利 :CN108831922A ,2018-11-16

[6]

一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 [P].

倪炜江 ;

袁俊 ;

杨永江 ;

张敬伟 ;

李明山 ;

孙安信 .

中国专利 :CN107240605A ,2017-10-10

[7]

一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

魏进 ;

崔家玮 ;

杨俊杰 ;

吴妍霖 .

中国专利 :CN117954476A ,2024-04-30

[8]

一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

魏进 ;

崔家玮 ;

杨俊杰 ;

吴妍霖 .

中国专利 :CN117954476B ,2025-09-05

[9]

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113675269A ,2021-11-19

[10]

抑制陷阱效应的AlGaN/GaN HEMT器件的沟道温度测试方法 [P].

陈怡霖 ;

李金龙 ;

朱青 ;

卢佳妮 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120870799A ,2025-10-31

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