一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110959414.7

申请日：

2021-08-20

公开(公告)号：

CN113675269A

公开(公告)日：

2021-11-19

发明(设计)人：

郑崇芝信亚杰段力冬王方洲孙瑞泽张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210820
2021-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件 [P].

陈万军 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113394285A ,2021-09-14

[2]

一种抑制PMOSFET器件短沟道效应的方法 [P].

周晓君 .

中国专利 :CN105742187A ,2016-07-06

[3]

一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113540233A ,2021-10-22

[4]

一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

吴艳君 ;

张琳 ;

袁建成 .

中国专利 :CN118969824A ,2024-11-15

[5]

一种抑制CMOS短沟道效应的方法 [P].

黄晓橹 ;

毛刚 ;

陈玉文 ;

邱慈云 .

中国专利 :CN102427063A ,2012-04-25

[6]

改进器件反转短沟道效应的方法 [P].

周贯宇 ;

吕煜坤 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101136369A ,2008-03-05

[7]

抑制短沟道效应的SGT MOSFET器件及其制备方法 [P].

冯江旭 ;

陈桥梁 ;

杨乐 ;

王钰 ;

麻泽众 .

中国专利 :CN119767742A ,2025-04-04

[8]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[9]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[10]

抑制反短沟道效应的方法及NMOS器件制备方法 [P].

卢海峰 ;

刘巍 .

中国专利 :CN105047566B ,2015-11-11

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