一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411099134.3

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN118969824A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

黄义严宏宇高升吴艳君张琳袁建成

申请人：

重庆邮电大学

申请人地址：

400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号

IPC主分类号：

H01L29/45

IPC分类号：

H01L29/47 H01L29/423 H01L29/778

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

方钟苑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/45申请日:20240812
2024-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

黄义 ;

王书恒 ;

池天宇 ;

严宏宇 ;

吴艳君 .

中国专利 :CN117525129A ,2024-02-06

[2]

一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

黄义 ;

王书恒 ;

池天宇 ;

严宏宇 ;

吴艳君 .

中国专利 :CN117525129B ,2025-03-18

[3]

一种p-GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法 [P].

潘世杰 ;

冯士维 ;

鲁晓庄 ;

冯子璇 ;

张博阳 .

中国专利 :CN119471280B ,2025-09-26

[4]

一种p-GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法 [P].

潘世杰 ;

冯士维 ;

鲁晓庄 ;

冯子璇 ;

张博阳 .

中国专利 :CN119471280A ,2025-02-18

[5]

一种p-GaN混合MIS栅的HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

陈伟中 ;

张红升 .

中国专利 :CN120676663A ,2025-09-19

[6]

抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103681341B ,2014-03-26

[7]

一种具有分裂耦合栅结构的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

严宏宇 ;

张琳 ;

黄义 .

中国专利 :CN119300398A ,2025-01-10

[8]

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件 [P].

郑崇芝 ;

信亚杰 ;

段力冬 ;

王方洲 ;

孙瑞泽 ;

张波 .

中国专利 :CN113675269A ,2021-11-19

[9]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[10]

基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移 [P].

郎慕蓉 ;

周振明 .

中国专利 :CN112447207A ,2021-03-05

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