一种p-GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411611878.9

申请日：

2024-11-13

公开(公告)号：

CN119471280B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

潘世杰冯士维鲁晓庄冯子璇张博阳

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

100000 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

王兆波

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20241113
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种p-GaN HEMT瞬态阈值电压变化的准确测量方法 [P].

潘世杰 ;

冯士维 ;

鲁晓庄 ;

冯子璇 ;

张博阳 .

中国专利 :CN119471280A ,2025-02-18

[2]

一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

吴艳君 ;

张琳 ;

袁建成 .

中国专利 :CN118969824A ,2024-11-15

[3]

一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

黄义 ;

王书恒 ;

池天宇 ;

严宏宇 ;

吴艳君 .

中国专利 :CN117525129A ,2024-02-06

[4]

一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件 [P].

高升 ;

黄义 ;

王书恒 ;

池天宇 ;

严宏宇 ;

吴艳君 .

中国专利 :CN117525129B ,2025-03-18

[5]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[6]

一种NMOS阈值电压测量方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103675398A ,2014-03-26

[7]

阈值电压测量方法及系统 [P].

朱志炜 .

中国专利 :CN101825680B ,2010-09-08

[8]

一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法 [P].

郭春生 ;

崔绍雄 ;

丁珏文 ;

王跃 ;

李宇濛 .

中国专利 :CN115166458B ,2024-08-02

[9]

场效应管阈值电压漂移测量方法 [P].

朱夏明 ;

孙亮 ;

郝昭慧 ;

林承武 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN102654556A ,2012-09-05

[10]

MOS管阈值电压的测量方法 [P].

黄传伟 ;

谈益民 ;

胡盖 .

中国专利 :CN115047236A ,2022-09-13

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