一种NMOS阈值电压测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210339342.7

申请日：

2012-09-13

公开(公告)号：

CN103675398A

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

甘正浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G01R1900

IPC分类号：

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581671239 IPC(主分类):G01R 19/00 专利申请号:2012103393427 申请日:20120913
2014-03-26	公开	公开
2016-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

阈值电压测量方法及系统 [P].

朱志炜 .

中国专利 :CN101825680B ,2010-09-08

[2]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[3]

MOS管阈值电压的测量方法 [P].

黄传伟 ;

谈益民 ;

胡盖 .

中国专利 :CN115047236A ,2022-09-13

[4]

一种阈值电压的测量方法及其系统 [P].

杜宏亮 .

中国专利 :CN114089147A ,2022-02-25

[5]

一种阈值电压的测量方法及其系统 [P].

杜宏亮 .

中国专利 :CN114089147B ,2025-05-27

[6]

零阈值电压NMOS的制备方法 [P].

单园园 ;

胡君 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN109166804A ,2019-01-08

[7]

场效应管阈值电压漂移测量方法 [P].

朱夏明 ;

孙亮 ;

郝昭慧 ;

林承武 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN102654556A ,2012-09-05

[8]

一种功率器件阈值电压漂移测量方法及系统 [P].

胡存刚 ;

唐曦 ;

徐以琛 ;

姜俊松 ;

谭琨 ;

曹文平 .

中国专利 :CN119224520A ,2024-12-31

[9]

CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法 [P].

刘锦辉 ;

李静月 ;

王泉 ;

刘刚 ;

穆彦廷 .

中国专利 :CN107202946A ,2017-09-26

[10]

一种绝缘栅器件阈值电压的不停机测量方法 [P].

伍伟 ;

李文哲 ;

陈勇 .

中国专利 :CN111025115A ,2020-04-17

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