零阈值电压NMOS的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810992765.6

申请日：

2018-08-29

公开(公告)号：

CN109166804A

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

单园园胡君陈华伦陈瑜

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	授权	授权
2019-01-08	公开	公开
2019-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180829

共 50 条

[1]

用于监测NMOS管阈值电压的电路 [P].

殷宁淳 .

中国专利 :CN118011172A ,2024-05-10

[2]

一种NMOS阈值电压测量方法 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN103675398A ,2014-03-26

[3]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782442A ,2021-12-10

[4]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113948395A ,2022-01-18

[5]

控制闪存单元阈值电压的方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN104538361A ,2015-04-22

[6]

监测阈值电压的方法 [P].

殷宁淳 .

中国专利 :CN117741386A ,2024-03-22

[7]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[8]

阈值电压调整装置和阈值电压调整方法 [P].

安友伟 ;

万碧根 ;

马亮 ;

张登军 ;

刘大海 .

中国专利 :CN112017701B ,2020-12-01

[9]

阈值电压侦测方法 [P].

窦维 ;

徐京 .

中国专利 :CN113889009A ,2022-01-04

[10]

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 [P].

李广耀 ;

王东方 ;

汪军 ;

王海涛 ;

郝朝威 ;

冯波 ;

刘融 ;

蔡伟 ;

罗标 ;

孙学超 ;

桂学海 ;

梁启斌 ;

万燕飞 ;

苏瑾 .

中国专利 :CN110111712A ,2019-08-09

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