FinFET的阈值电压调节方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111010827.7

申请日：

2021-08-31

公开(公告)号：

CN113782442A

公开(公告)日：

2021-12-10

发明(设计)人：

周真真

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210831
2021-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113948395A ,2022-01-18

[2]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782440A ,2021-12-10

[3]

具有多阈值电压的FinFET [P].

郭博钦 ;

李显铭 .

中国专利 :CN103165674B ,2013-06-19

[4]

一种调节MOS器件阈值电压的方法 [P].

沈震 ;

刘大伟 .

中国专利 :CN112201582A ,2021-01-08

[5]

调整多阈值电压的FinFET/三栅极沟道掺杂 [P].

张郢 ;

方子韦 ;

许俊豪 .

中国专利 :CN103985636B ,2014-08-13

[6]

FinFET结构和用于调整FinFET结构中的阈值电压的方法 [P].

E·A·卡蒂尔 ;

B·J·格里尼 ;

郭德超 ;

王淦 ;

王延锋 ;

K·K·H·黄 .

中国专利 :CN103890905B ,2014-06-25

[7]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[8]

调节器件阈值电压的方法 [P].

周贯宇 ;

胡君 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101174586A ,2008-05-07

[9]

具有低阈值电压的FINFET变容器及其制造方法 [P].

蔡铺桓 ;

蔡汉旻 ;

陈家忠 ;

黄崎峰 ;

梁其翔 .

中国专利 :CN107425066A ,2017-12-01

[10]

一种FinFET器件阈值电压模型构建方法 [P].

迟旭 ;

唐攀 ;

易凯 ;

李晨 .

中国专利 :CN114266169A ,2022-04-01

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