调节器件阈值电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610117834.6

申请日：

2006-11-01

公开(公告)号：

CN101174586A

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

周贯宇胡君钱文生

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

顾继光

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	公开	公开
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183797418 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2006101178346 公开日:20080507
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113948395A ,2022-01-18

[2]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782440A ,2021-12-10

[3]

调节多栅结构器件阈值电压的方法 [P].

黎明 ;

樊捷闻 ;

李佳 ;

许晓燕 ;

黄如 .

中国专利 :CN103219242A ,2013-07-24

[4]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782442A ,2021-12-10

[5]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[6]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[7]

一种调节MOS器件阈值电压的方法 [P].

沈震 ;

刘大伟 .

中国专利 :CN112201582A ,2021-01-08

[8]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[9]

抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103681341B ,2014-03-26

[10]

调整半导体器件阈值电压的方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102110613A ,2011-06-29

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