调整半导体器件阈值电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910244135.1

申请日：

2009-12-29

公开(公告)号：

CN102110613A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

尹海洲骆志炯朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L21324

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

张磊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702676263 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009102441351 申请公布日:20110629
2011-06-29	公开	公开
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096109750 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009102441351 申请日:20091229

共 50 条

[1]

调整半导体器件中的阈值电压的方法 [P].

迈克尔·G·沃德 ;

伊戈尔·V·佩德斯 ;

桑尼·江 ;

严·B·丹 ;

安德鲁·达拉克 ;

彼得·I·波尔什涅夫 ;

斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN103229282B ,2013-07-31

[2]

半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件 [P].

邵鑫 ;

罗源 ;

寇新秀 ;

徐希蒙 .

中国专利 :CN121126842A ,2025-12-12

[3]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[4]

能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

金一旭 ;

赵俊熙 ;

朴圣彦 ;

安进弘 ;

李相敦 .

中国专利 :CN1713395A ,2005-12-28

[5]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[6]

具有多阈值电压的半导体器件 [P].

宋在烈 ;

金完敦 ;

裴洙瀯 ;

李东洙 ;

李钟汉 ;

丁炯硕 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109935585A ,2019-06-25

[7]

半导体器件的阈值电压提取方法及装置 [P].

王可为 ;

卜建辉 ;

黄杨 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN112067964A ,2020-12-11

[8]

半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120435051A ,2025-08-05

[9]

半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN120435051B ,2025-09-26

[10]

一种半导体器件阈值电压仿真方法 [P].

李翡 ;

王成 ;

高云锋 .

中国专利 :CN110955942A ,2020-04-03

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