半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510949437.8
申请日
2025-07-10
公开(公告)号
CN120435051B
公开(公告)日
2025-09-26
发明(设计)人
陈兴
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H10D84/01
IPC分类号
H10D84/85
代理机构
重庆华科专利事务所(普通合伙) 50123
代理人
李勇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
天津市 市辖区
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体器件的阈值电压调节方法、制作方法及半导体器件 [P]. 
陈兴 .
中国专利 :CN120435051A ,2025-08-05
[2]
半导体器件的阈值电压调整方法、制作方法及半导体器件 [P]. 
邵鑫 ;
罗源 ;
寇新秀 ;
徐希蒙 .
中国专利 :CN121126842A ,2025-12-12
[3]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN117524880A ,2024-02-06
[4]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN119403150B ,2025-11-18
[5]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN117524880B ,2024-07-23
[6]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
李志勇 ;
余阳城 ;
孙科 .
中国专利 :CN119403150A ,2025-02-07
[7]
提高半导体器件阈值电压的方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11
[8]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16
[9]
调整半导体器件阈值电压的方法 [P]. 
尹海洲 ;
骆志炯 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN102110613A ,2011-06-29
[10]
半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN105575901A ,2016-05-11