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半导体器件的制作方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311535788.1
申请日：
2023-11-16
公开(公告)号：
CN117524880B
公开(公告)日：
2024-07-23
发明(设计)人：
李志勇
余阳城
孙科
申请人：
深圳市昇维旭技术有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/66
代理机构：
深圳市联鼎知识产权代理有限公司 44232
代理人：
刘抗美
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-23 | 授权 | 授权 |
| 2024-02-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-02-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20231116 |