半导体器件、半导体芯片及半导体器件制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810383833.9

申请日：

2018-04-26

公开(公告)号：

CN110416296A

公开(公告)日：

2019-11-05

发明(设计)人：

裴轶亢国纯孙琳琳

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L23367 H01L21335

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

苏胜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	授权	授权
2019-11-05	公开	公开
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180426

共 50 条

[1]

半导体芯片及半导体器件 [P].

魏鸿基 ;

郭子晗 ;

王鹏 ;

洪思航 ;

王越 ;

余珍珍 .

中国专利 :CN117894795A ,2024-04-16

[2]

半导体器件、半导体器件的制作方法及半导体设备 [P].

谢炜 ;

范冬宇 ;

刘磊 ;

张坤 ;

周文犀 ;

夏志良 .

中国专利 :CN118969755A ,2024-11-15

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李志勇 ;

余阳城 ;

孙科 .

中国专利 :CN117524880A ,2024-02-06

[4]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李志勇 ;

余阳城 ;

孙科 .

中国专利 :CN119403150B ,2025-11-18

[5]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105575901A ,2016-05-11

[6]

半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

杨航 ;

饶剑 ;

马俊辉 .

中国专利 :CN117497571A ,2024-02-02

[7]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李志勇 ;

余阳城 ;

孙科 .

中国专利 :CN117524880B ,2024-07-23

[8]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李志勇 ;

余阳城 ;

孙科 .

中国专利 :CN119403150A ,2025-02-07

[9]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16

[10]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

尹晓明 ;

李玉科 .

中国专利 :CN116190443B ,2024-03-15

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