高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510551061.1

申请日：

2015-09-01

公开(公告)号：

CN105185779A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

张少锋周仲建钟川

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市高新区紫荆东路9号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643352316 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2015105510611 申请日:20150901
2022-05-27	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 登记号:Y2022980005357 登记生效日:20220511 出质人:成都方舟微电子有限公司质权人:成都银行股份有限公司科技支行发明名称:高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法申请日:20150901 授权公告日:20171110
2015-12-23	公开	公开
2017-11-10	授权	授权

共 50 条

[1]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[2]

阈值电压调整装置和阈值电压调整方法 [P].

安友伟 ;

万碧根 ;

马亮 ;

张登军 ;

刘大海 .

中国专利 :CN112017701B ,2020-12-01

[3]

阈值电压检测器及使用该阈值电压检测器的芯片 [P].

吴宛玲 ;

蔡鸿杰 .

中国专利 :CN118276628A ,2024-07-02

[4]

阈值电压侦测方法 [P].

窦维 ;

徐京 .

中国专利 :CN113889009A ,2022-01-04

[5]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[6]

具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法 [P].

王曦 ;

解勇涛 ;

李佳思 ;

孙佳威 ;

许建宁 ;

夏浩玮 .

中国专利 :CN114420758B ,2022-04-29

[7]

一种调节MOS器件阈值电压的方法 [P].

沈震 ;

刘大伟 .

中国专利 :CN112201582A ,2021-01-08

[8]

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 [P].

李广耀 ;

王东方 ;

汪军 ;

王海涛 ;

郝朝威 ;

冯波 ;

刘融 ;

蔡伟 ;

罗标 ;

孙学超 ;

桂学海 ;

梁启斌 ;

万燕飞 ;

苏瑾 .

中国专利 :CN110111712A ,2019-08-09

[9]

监测阈值电压的方法 [P].

殷宁淳 .

中国专利 :CN117741386A ,2024-03-22

[10]

调节器件阈值电压的方法 [P].

周贯宇 ;

胡君 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101174586A ,2008-05-07

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