具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法

被引：0

申请号：

CN202111492929.7

申请日：

2021-12-08

公开(公告)号：

CN114420758B

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

王曦解勇涛李佳思孙佳威许建宁夏浩玮

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

王奇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	授权	授权
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211208
2022-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[2]

一种高阈值SiC MOSFET器件及其制造方法 [P].

许海东 ;

谌容 ;

王曦 .

中国专利 :CN114530504A ,2022-05-24

[3]

一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法 [P].

何艳静 ;

袁昊 ;

汤晓燕 ;

韩超 ;

宋庆文 ;

张玉明 .

中国专利 :CN112038394A ,2020-12-04

[4]

一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法 [P].

郭春生 ;

崔绍雄 ;

丁珏文 ;

王跃 ;

李宇濛 .

中国专利 :CN115166458B ,2024-08-02

[5]

多元阈值电压的本征MOSFET的制造方法 [P].

田文超 .

中国专利 :CN120769528A ,2025-10-10

[6]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742A ,2022-02-01

[7]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742B ,2025-05-13

[8]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[9]

具有高阈值电压的E-Mode HEMT芯片及其制造方法 [P].

王龙 ;

高天 .

中国专利 :CN120512918A ,2025-08-19

[10]

一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P].

刘东 ;

卢山 .

中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23

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