多元阈值电压的本征MOSFET的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510821462.8

申请日：

2025-06-18

公开(公告)号：

CN120769528A

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

田文超

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	公开	公开
2025-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250618

共 50 条

[1]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[2]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782440A ,2021-12-10

[3]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

周真真 .

中国专利 :CN113782442A ,2021-12-10

[4]

FinFET的阈值电压调节方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN113948395A ,2022-01-18

[5]

具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法 [P].

王曦 ;

解勇涛 ;

李佳思 ;

孙佳威 ;

许建宁 ;

夏浩玮 .

中国专利 :CN114420758B ,2022-04-29

[6]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[7]

薄体MOSFET的阈值电压调节 [P].

M·J·布洛茨基 ;

蔡明 ;

郭德超 ;

W·K·汉森 ;

S·纳拉辛哈 ;

梁玥 ;

宋丽阳 ;

王延锋 ;

叶俊呈 .

中国专利 :CN103930998A ,2014-07-16

[8]

SOI上的动态阈值电压MOSFET [P].

陈向东 ;

D·奇丹巴尔拉奥 ;

王耕 .

中国专利 :CN100375296C ,2005-06-15

[9]

提供多个阈值电压的器件及其制造方法 [P].

詹咏翔 ;

廖善美 ;

黄文宏 ;

陈建豪 ;

游国丰 ;

王美匀 .

中国专利 :CN114664738A ,2022-06-24

[10]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

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