提供多个阈值电压的器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210132246.9

申请日：

2022-02-14

公开(公告)号：

CN114664738A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

詹咏翔廖善美黄文宏陈建豪游国丰王美匀

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

桑敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	公开	公开
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20220214

共 50 条

[1]

具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

王立廷 ;

蔡腾群 ;

林正堂 ;

陈德芳 ;

张惠政 .

中国专利 :CN104766860B ,2015-07-08

[2]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[3]

控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 [P].

王文武 ;

朱慧珑 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101930979A ,2010-12-29

[4]

控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 [P].

王文武 ;

朱慧珑 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101964345A ,2011-02-02

[5]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[6]

能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

金一旭 ;

赵俊熙 ;

朴圣彦 ;

安进弘 ;

李相敦 .

中国专利 :CN1713395A ,2005-12-28

[7]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[8]

调节器件阈值电压的方法 [P].

周贯宇 ;

胡君 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101174586A ,2008-05-07

[9]

补偿阈值电压的方法 [P].

方裕盛 ;

黄山 ;

徐友峰 .

中国专利 :CN119132940A ,2024-12-13

[10]

具有可编程阈值电压的DMOS器件 [P].

理查德·A·布兰查德 .

中国专利 :CN1692449A ,2005-11-02

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