控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910089597.0

申请日：

2009-07-22

公开(公告)号：

CN101964345A

公开(公告)日：

2011-02-02

发明(设计)人：

王文武朱慧珑陈世杰陈大鹏

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L21283

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	公开	公开
2013-11-13	授权	授权
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059289968 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2009100895970 申请日:20090722

共 50 条

[1]

控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 [P].

王文武 ;

朱慧珑 ;

陈世杰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN101930979A ,2010-12-29

[2]

提供多个阈值电压的器件及其制造方法 [P].

詹咏翔 ;

廖善美 ;

黄文宏 ;

陈建豪 ;

游国丰 ;

王美匀 .

中国专利 :CN114664738A ,2022-06-24

[3]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[4]

调节器件阈值电压的方法 [P].

周贯宇 ;

胡君 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101174586A ,2008-05-07

[5]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[6]

抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103681341B ,2014-03-26

[7]

具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

王立廷 ;

蔡腾群 ;

林正堂 ;

陈德芳 ;

张惠政 .

中国专利 :CN104766860B ,2015-07-08

[8]

改善TFT器件阈值电压的处理方法 [P].

辛少强 ;

李山 ;

谢志强 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108335969A ,2018-07-27

[9]

能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

金一旭 ;

赵俊熙 ;

朴圣彦 ;

安进弘 ;

李相敦 .

中国专利 :CN1713395A ,2005-12-28

[10]

调节多栅结构器件阈值电压的方法 [P].

黎明 ;

樊捷闻 ;

李佳 ;

许晓燕 ;

黄如 .

中国专利 :CN103219242A ,2013-07-24

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