抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210356394.5

申请日：

2012-09-21

公开(公告)号：

CN103681341B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

陈瑜马斌陈华伦罗啸

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581691828 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012103563945 申请日:20120921
2014-03-26	公开	公开
2016-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 [P].

李广耀 ;

王东方 ;

汪军 ;

王海涛 ;

郝朝威 ;

冯波 ;

刘融 ;

蔡伟 ;

罗标 ;

孙学超 ;

桂学海 ;

梁启斌 ;

万燕飞 ;

苏瑾 .

中国专利 :CN110111712A ,2019-08-09

[2]

基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移 [P].

郎慕蓉 ;

周振明 .

中国专利 :CN112447207A ,2021-03-05

[3]

基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移 [P].

郎慕蓉 ;

周振明 .

美国专利 :CN112447207B ,2024-06-04

[4]

一种抑制阈值电压漂移的p-GaN HEMT器件 [P].

黄义 ;

严宏宇 ;

高升 ;

吴艳君 ;

张琳 ;

袁建成 .

中国专利 :CN118969824A ,2024-11-15

[5]

阈值电压漂移跟踪系统和方法 [P].

H·吉杜图里 .

中国专利 :CN114333955A ,2022-04-12

[6]

降低阈值电压漂移的方法和设备 [P].

D.曼特加扎 ;

F.潘 ;

P.S.达姆勒 ;

H.P.贝尔加尔 ;

K.潘加尔 .

中国专利 :CN109196586A ,2019-01-11

[7]

一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法 [P].

陈清 .

中国专利 :CN103390568A ,2013-11-13

[8]

阈值电压漂移的检测方法和装置 [P].

冯雪欢 ;

李永谦 .

中国专利 :CN107424549B ,2017-12-01

[9]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[10]

一种抑制SBFET阈值电压漂移的方法、装置及设备 [P].

刘凡宇 ;

张铁馨 ;

李博 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN119780643A ,2025-04-08

← 1 2 3 4 5 →