一种监控MOS器件阈值电压漂移的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210139336.7

申请日：

2012-05-08

公开(公告)号：

CN103390568A

公开(公告)日：

2013-11-13

发明(设计)人：

陈清

申请人：

申请人地址：

214028 无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

唐立;李浩

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	授权	授权
2013-11-13	公开	公开
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101550524337 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2012101393367 申请日:20120508

共 50 条

[1]

一种调节MOS器件阈值电压的方法 [P].

沈震 ;

刘大伟 .

中国专利 :CN112201582A ,2021-01-08

[2]

抑制PMOS器件阈值电压漂移的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103681341B ,2014-03-26

[3]

阈值电压漂移检测方法和阈值电压漂移检测装置 [P].

李广耀 ;

王东方 ;

汪军 ;

王海涛 ;

郝朝威 ;

冯波 ;

刘融 ;

蔡伟 ;

罗标 ;

孙学超 ;

桂学海 ;

梁启斌 ;

万燕飞 ;

苏瑾 .

中国专利 :CN110111712A ,2019-08-09

[4]

基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移 [P].

郎慕蓉 ;

周振明 .

中国专利 :CN112447207A ,2021-03-05

[5]

基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移 [P].

郎慕蓉 ;

周振明 .

美国专利 :CN112447207B ,2024-06-04

[6]

一种提高MOS器件阈值电压稳定性的方法 [P].

张平 ;

曾红林 ;

陆锋 ;

张布新 .

中国专利 :CN101271845A ,2008-09-24

[7]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[8]

阈值电压漂移跟踪系统和方法 [P].

H·吉杜图里 .

中国专利 :CN114333955A ,2022-04-12

[9]

降低阈值电压漂移的方法和设备 [P].

D.曼特加扎 ;

F.潘 ;

P.S.达姆勒 ;

H.P.贝尔加尔 ;

K.潘加尔 .

中国专利 :CN109196586A ,2019-01-11

[10]

阈值电压漂移的检测方法和装置 [P].

冯雪欢 ;

李永谦 .

中国专利 :CN107424549B ,2017-12-01

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