具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410403876.0

申请日：

2014-08-14

公开(公告)号：

CN104766860B

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

王立廷蔡腾群林正堂陈德芳张惠政

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2949 H01L218238 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	公开	公开
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619265280 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2014104038760 申请日:20140814
2019-08-09	授权	授权

共 50 条

[1]

具有多阈值电压的半导体器件 [P].

宋在烈 ;

金完敦 ;

裴洙瀯 ;

李东洙 ;

李钟汉 ;

丁炯硕 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109935585A ,2019-06-25

[2]

能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

金一旭 ;

赵俊熙 ;

朴圣彦 ;

安进弘 ;

李相敦 .

中国专利 :CN1713395A ,2005-12-28

[3]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[4]

具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

许淼 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN105609470A ,2016-05-25

[5]

调整半导体器件阈值电压的方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102110613A ,2011-06-29

[6]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[7]

提供多个阈值电压的器件及其制造方法 [P].

詹咏翔 ;

廖善美 ;

黄文宏 ;

陈建豪 ;

游国丰 ;

王美匀 .

中国专利 :CN114664738A ,2022-06-24

[8]

具有不同局部阈值电压的半导体开关器件 [P].

E·维西诺瓦斯奎兹 ;

C·法赫曼 .

中国专利 :CN105304711B ,2016-02-03

[9]

具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法 [P].

巴拉·坎南 ;

光允 ;

西德斯·克里斯南 ;

安藤孝 ;

夫亚·纳拉瓦纳恩 .

中国专利 :CN107134455B ,2017-09-05

[10]

具有不同阈值电压的半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847874A ,2017-06-13

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