具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710106827.4

申请日：

2017-02-27

公开(公告)号：

CN107134455B

公开(公告)日：

2017-09-05

发明(设计)人：

巴拉·坎南光允西德斯·克里斯南安藤孝夫亚·纳拉瓦纳恩

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750778287 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2017101068274 申请日:20170227
2021-02-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/092 登记生效日:20210210 变更事项:申请人变更前权利人:格罗方德半导体公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2022-07-05	授权	授权
2017-09-05	公开	公开

共 50 条

[1]

具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置 [P].

伊藤明 ;

卢欣雁 .

:CN121218647A ,2025-12-26

[2]

形成具有不同阈值电压的半导体装置的方法 [P].

彭成毅 ;

何嘉政 ;

叶致锴 ;

李宗霖 ;

杨玉麟 .

中国专利 :CN105702583A ,2016-06-22

[3]

具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

王立廷 ;

蔡腾群 ;

林正堂 ;

陈德芳 ;

张惠政 .

中国专利 :CN104766860B ,2015-07-08

[4]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[5]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[6]

集成电路中具有不同阈值电压的半导体装置 [P].

唐智凯 ;

U·拉达克里希纳 ;

J·乔 ;

T·默金 ;

Y·萨里帕利 .

美国专利 :CN120676705A ,2025-09-19

[7]

用于半导体装置的阈值电压及井植入方法 [P].

戴鑫托 ;

布莱恩·葛伦 ;

马翰德·库玛 ;

丹尼尔·J·德契恩 ;

丹尼尔·杰格 .

中国专利 :CN107464746B ,2017-12-12

[8]

具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

许淼 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN105609470A ,2016-05-25

[9]

能够调整阈值电压的半导体器件及其制造方法 [P].

金一旭 ;

赵俊熙 ;

朴圣彦 ;

安进弘 ;

李相敦 .

中国专利 :CN1713395A ,2005-12-28

[10]

具有多阈值电压的半导体器件 [P].

宋在烈 ;

金完敦 ;

裴洙瀯 ;

李东洙 ;

李钟汉 ;

丁炯硕 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109935585A ,2019-06-25

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