形成具有不同阈值电压的半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510845166.8

申请日：

2015-11-27

公开(公告)号：

CN105702583A

公开(公告)日：

2016-06-22

发明(设计)人：

彭成毅何嘉政叶致锴李宗霖杨玉麟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21324 H01L2128 H01L29423

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	公开	公开
2019-06-11	授权	授权
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670880116 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015108451668 申请日:20151127

共 50 条

[1]

具有不同阈值电压的半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847874A ,2017-06-13

[2]

集成电路中具有不同阈值电压的半导体装置 [P].

唐智凯 ;

U·拉达克里希纳 ;

J·乔 ;

T·默金 ;

Y·萨里帕利 .

美国专利 :CN120676705A ,2025-09-19

[3]

具有不同局部阈值电压的半导体开关器件 [P].

E·维西诺瓦斯奎兹 ;

C·法赫曼 .

中国专利 :CN105304711B ,2016-02-03

[4]

具有变化阈值电压的半导体装置及其制造方法 [P].

巴拉·坎南 ;

光允 ;

西德斯·克里斯南 ;

安藤孝 ;

夫亚·纳拉瓦纳恩 .

中国专利 :CN107134455B ,2017-09-05

[5]

具有双重阈值电压控制手段的低阈值电压半导体器件 [P].

E·A·卡特 ;

M·W·科佩尔 ;

M·M·弗兰克 ;

E·P·格塞夫 ;

P·C·詹米森 ;

R·加米 ;

B·P·林德 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN101563780A ,2009-10-21

[6]

具有变化的阈值电压特性的多栅极半导体装置 [P].

伊藤明 ;

卢欣雁 .

:CN121218647A ,2025-12-26

[7]

调整半导体器件阈值电压的方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102110613A ,2011-06-29

[8]

提高半导体器件阈值电压的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054698A ,2011-05-11

[9]

用于半导体装置的多阈值电压集成方案 [P].

斯里尼瓦·甘迪科塔 ;

杨逸雄 ;

马腾洲 ;

黄天逸 ;

吉蒂卡·巴贾 ;

余欣容 ;

赛沙德利·甘古利 .

美国专利 :CN120548596A ,2025-08-26

[10]

用于半导体装置的阈值电压及井植入方法 [P].

戴鑫托 ;

布莱恩·葛伦 ;

马翰德·库玛 ;

丹尼尔·J·德契恩 ;

丹尼尔·杰格 .

中国专利 :CN107464746B ,2017-12-12

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