电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111175914.8

申请日：

2021-10-09

公开(公告)号：

CN114005742B

公开(公告)日：

2025-05-13

发明(设计)人：

梁琳张子扬

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L21/26

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267

代理人：

李君;廖盈春

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742A ,2022-02-01

[2]

一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN110783203A ,2020-02-11

[3]

具有高阈值电压的SiC MOSFET及制造方法 [P].

王曦 ;

解勇涛 ;

李佳思 ;

孙佳威 ;

许建宁 ;

夏浩玮 .

中国专利 :CN114420758B ,2022-04-29

[4]

存储器的阈值电压的恢复方法及装置 [P].

张赛 ;

胡洪 ;

张建军 ;

陈讲重 .

中国专利 :CN109841257A ,2019-06-04

[5]

阈值电压稳定的电子辐照快恢复SJ-VDMOS制备方法 [P].

祝靖 ;

李阿江 ;

李少红 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN109742030A ,2019-05-10

[6]

一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法 [P].

郭春生 ;

崔绍雄 ;

丁珏文 ;

王跃 ;

李宇濛 .

中国专利 :CN115166458B ,2024-08-02

[7]

一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P].

刘东 ;

卢山 .

中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23

[8]

MOSFET阈值电压波动模型的提取方法及装置 [P].

高超 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN105653823B ,2016-06-08

[9]

阈值电压调整装置和阈值电压调整方法 [P].

安友伟 ;

万碧根 ;

马亮 ;

张登军 ;

刘大海 .

中国专利 :CN112017701B ,2020-12-01

[10]

一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置 [P].

罗涛 ;

侯欣蓝 ;

罗润鼎 ;

项载满 ;

王学良 ;

樊嘉杰 .

中国专利 :CN118837705A ,2024-10-25

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