一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410960220.2

申请日：

2024-07-17

公开(公告)号：

CN118837705A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

罗涛侯欣蓝罗润鼎项载满王学良樊嘉杰

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R1/04 G01R1/20 G01R19/00

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

王洁平

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	公开	公开
2024-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240717

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P].

刘东 ;

卢山 .

中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23

[2]

一种MOSFET器件的阈值电压调整方法 [P].

李伟 ;

高苗苗 .

中国专利 :CN117472141A ,2024-01-30

[3]

一种基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET阈值电压在线检测方法 [P].

邵天骢 ;

郑琼林 ;

李志君 ;

孙宇晗 ;

黄波 .

中国专利 :CN117647715A ,2024-03-05

[4]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742A ,2022-02-01

[5]

电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置 [P].

梁琳 ;

张子扬 .

中国专利 :CN114005742B ,2025-05-13

[6]

一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法 [P].

郭春生 ;

崔绍雄 ;

丁珏文 ;

王跃 ;

李宇濛 .

中国专利 :CN115166458B ,2024-08-02

[7]

一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路 [P].

崔玥琦 ;

刘天翔 ;

黄芷妍 ;

贾伊非 ;

张子扬 ;

费浩洋 ;

梁琳 .

中国专利 :CN220357189U ,2024-01-16

[8]

一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN110783203A ,2020-02-11

[9]

一种IGBT的通态电压和阈值电压在线监测电路及方法 [P].

杨铎烔 ;

马溪原 ;

王正磊 ;

葛俊 ;

王逸兴 ;

谢宁 ;

徐聃聃 ;

曹小辉 .

中国专利 :CN121049681A ,2025-12-02

[10]

一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件 [P].

施广彦 ;

秋琪 ;

李昀佶 .

中国专利 :CN112838125A ,2021-05-25

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