一种MOSFET器件的阈值电压调整方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311809894.4

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN117472141A

公开(公告)日：

2024-01-30

发明(设计)人：

李伟高苗苗

申请人：

深圳市冠禹半导体有限公司

申请人地址：

518100 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区泰华梧桐工业园雨水(2A)栋3层

IPC主分类号：

G05F1/567

IPC分类号：

G06F18/2433 G06F18/23

代理机构：

深圳海豚知识产权代理事务所(普通合伙) 44952

代理人：

钟兆花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/567申请日:20231227
2024-06-21	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回IPC(主分类):G05F 1/567申请公布日:20240130
2024-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P].

刘东 ;

卢山 .

中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23

[2]

阈值电压调整装置和阈值电压调整方法 [P].

安友伟 ;

万碧根 ;

马亮 ;

张登军 ;

刘大海 .

中国专利 :CN112017701B ,2020-12-01

[3]

调整半导体器件阈值电压的方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102110613A ,2011-06-29

[4]

一种SiC MOSFET阈值电压准确测量的方法 [P].

郭春生 ;

崔绍雄 ;

丁珏文 ;

王跃 ;

李宇濛 .

中国专利 :CN115166458B ,2024-08-02

[5]

调整半导体器件中的阈值电压的方法 [P].

迈克尔·G·沃德 ;

伊戈尔·V·佩德斯 ;

桑尼·江 ;

严·B·丹 ;

安德鲁·达拉克 ;

彼得·I·波尔什涅夫 ;

斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN103229282B ,2013-07-31

[6]

MOSFET的阈值电压的测量方法 [P].

张瑜 ;

商干兵 .

中国专利 :CN110763972B ,2020-02-07

[7]

高阈值电压功率MOS芯片、器件及提高阈值电压的方法 [P].

张少锋 ;

周仲建 ;

钟川 .

中国专利 :CN105185779A ,2015-12-23

[8]

调节器件阈值电压的方法 [P].

周贯宇 ;

胡君 ;

钱文生 .

中国专利 :CN101174586A ,2008-05-07

[9]

薄体MOSFET的阈值电压调节 [P].

M·J·布洛茨基 ;

蔡明 ;

郭德超 ;

W·K·汉森 ;

S·纳拉辛哈 ;

梁玥 ;

宋丽阳 ;

王延锋 ;

叶俊呈 .

中国专利 :CN103930998A ,2014-07-16

[10]

一种阈值电压为负的开关器件的阈值电压测试方法及系统 [P].

周福斌 ;

任永硕 ;

王荣华 ;

梁辉南 .

中国专利 :CN113702824A ,2021-11-26

← 1 2 3 4 5 →