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一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202320975488.4
申请日：
2023-04-26
公开(公告)号：
CN220357189U
公开(公告)日：
2024-01-16
发明(设计)人：
崔玥琦 刘天翔 黄芷妍 贾伊非 张子扬 费浩洋 梁琳
申请人：
华中科技大学
申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号：
G01R31/26
IPC分类号：
代理机构：
武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267
代理人：
刘娅婷;张彩锦
法律状态：
授权
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-01-16 授权 授权
共 50 条
[1]
三相逆变器SiC-MOSFET通态电压在线监测电路及方法 [P]. 
彭英舟 ;
赵崇宇 ;
余晓亮 ;
曹一明 ;
王泉洁 ;
帅智康 .
中国专利 :CN119335351B ,2025-03-21
[2]
三相逆变器SiC-MOSFET通态电压在线监测电路及方法 [P]. 
彭英舟 ;
赵崇宇 ;
余晓亮 ;
曹一明 ;
王泉洁 ;
帅智康 .
中国专利 :CN119335351A ,2025-01-21
[3]
一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P]. 
孙鹏菊 ;
谢明航 ;
李凯伟 ;
欧阳文远 ;
罗全明 ;
杜雄 .
中国专利 :CN113933677A ,2022-01-14
[4]
一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P]. 
孙鹏菊 ;
谢明航 ;
李凯伟 ;
欧阳文远 ;
罗全明 ;
杜雄 .
中国专利 :CN113933677B ,2024-04-19
[5]
基于栅极振荡的SiC-MOSFET米勒平台电压在线监测电路及方法 [P]. 
赵崇宇 ;
彭英舟 ;
余晓亮 ;
曹一明 ;
王开春 ;
帅智康 .
中国专利 :CN119310336B ,2025-03-21
[6]
基于栅极振荡的SiC-MOSFET米勒平台电压在线监测电路及方法 [P]. 
赵崇宇 ;
彭英舟 ;
余晓亮 ;
曹一明 ;
王开春 ;
帅智康 .
中国专利 :CN119310336A ,2025-01-14
[7]
一种空间辐照环境下SiC MOSFET器件阈值电压在线采集装置 [P]. 
罗涛 ;
侯欣蓝 ;
罗润鼎 ;
项载满 ;
王学良 ;
樊嘉杰 .
中国专利 :CN118837705A ,2024-10-25
[8]
一种SiC沟槽MOSFET器件 [P]. 
陈凯 ;
陈周宇 ;
吴贤勇 .
中国专利 :CN222442147U ,2025-02-07
[9]
一种SiC MOSFET器件阈值电压测量电路 [P]. 
刘东 ;
卢山 .
中国专利 :CN121186427A ,2025-12-23
[10]
一种减少栅漏电容的SiC MOSFET器件 [P]. 
朱秀梅 ;
杨程 ;
裘俊庆 ;
王毅 .
中国专利 :CN223639614U ,2025-12-05
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