一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111248678.8

申请日：

2021-10-26

公开(公告)号：

CN113933677A

公开(公告)日：

2022-01-14

发明(设计)人：

孙鹏菊谢明航李凯伟欧阳文远罗全明杜雄

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

代理人：

张先芸

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	公开	公开
2022-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20211026

共 50 条

[1]

一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

谢明航 ;

李凯伟 ;

欧阳文远 ;

罗全明 ;

杜雄 .

中国专利 :CN113933677B ,2024-04-19

[2]

一种SiC功率MOSFET器件老化监测电路及方法 [P].

王凯宏 ;

薛炳君 ;

严焱津 ;

邾玢鑫 ;

佘小莉 .

中国专利 :CN119291428A ,2025-01-10

[3]

SIC MOSFET器件栅极老化状态监测、结温修正系统及方法 [P].

曹晓雅 ;

陈迎 ;

韩浩 ;

王猛 ;

黄立勇 .

中国专利 :CN118777826A ,2024-10-15

[4]

SiC MOSFET监测电路及监测方法 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111624458A ,2020-09-04

[5]

SiC MOSFET监测电路 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN212586494U ,2021-02-23

[6]

SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法 [P].

谭琨 ;

谢海洋 ;

唐曦 ;

罗盟 ;

曹文平 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN118444122B ,2024-09-17

[7]

SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法 [P].

谭琨 ;

谢海洋 ;

唐曦 ;

罗盟 ;

曹文平 ;

胡存刚 .

中国专利 :CN118444122A ,2024-08-06

[8]

SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 [P].

马凯 ;

李巍巍 ;

李盈 ;

谭令其 ;

于圣旭 ;

时晓洁 ;

王智强 ;

李歆蔚 ;

杨柳 ;

马燕君 .

中国专利 :CN117849565A ,2024-04-09

[9]

SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法 [P].

马凯 ;

李巍巍 ;

李盈 ;

谭令其 ;

于圣旭 ;

时晓洁 ;

王智强 ;

李歆蔚 ;

杨柳 ;

马燕君 .

中国专利 :CN117849565B ,2024-10-25

[10]

一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路 [P].

崔玥琦 ;

刘天翔 ;

黄芷妍 ;

贾伊非 ;

张子扬 ;

费浩洋 ;

梁琳 .

中国专利 :CN220357189U ,2024-01-16

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