SiC MOSFET监测电路及监测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010483973.0

申请日：

2020-06-01

公开(公告)号：

CN111624458A

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

陈媛贺致远陈义强侯波刘昌

申请人：

申请人地址：

511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

缪成珠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-04	公开	公开
2020-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200601

共 50 条

[1]

SiC MOSFET监测电路 [P].

陈媛 ;

贺致远 ;

陈义强 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN212586494U ,2021-02-23

[2]

一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

谢明航 ;

李凯伟 ;

欧阳文远 ;

罗全明 ;

杜雄 .

中国专利 :CN113933677A ,2022-01-14

[3]

一种SiC MOSFET器件栅极老化监测电路及在线监测方法 [P].

孙鹏菊 ;

谢明航 ;

李凯伟 ;

欧阳文远 ;

罗全明 ;

杜雄 .

中国专利 :CN113933677B ,2024-04-19

[4]

一种SiC功率MOSFET器件老化监测电路及方法 [P].

王凯宏 ;

薛炳君 ;

严焱津 ;

邾玢鑫 ;

佘小莉 .

中国专利 :CN119291428A ,2025-01-10

[5]

SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质 [P].

张品佳 ;

张擎昊 ;

陆格野 .

中国专利 :CN115248365B ,2025-11-18

[6]

SiC基MOSFET结温在线监测系统和在线监测方法 [P].

郑丹 ;

宁圃奇 ;

范涛 ;

温旭辉 .

中国专利 :CN112229530A ,2021-01-15

[7]

基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法 [P].

王智强 ;

豆加龙 ;

孔武斌 ;

时晓洁 .

中国专利 :CN119224516A ,2024-12-31

[8]

基于栅极峰值电流法的SiC MOSFET结温在线监测电路系统 [P].

文阳 ;

张冲 ;

杨媛 ;

阴可欣 .

中国专利 :CN120446704A ,2025-08-08

[9]

占空比监测电路、方法及芯片 [P].

陈取 .

中国专利 :CN120768315A ,2025-10-10

[10]

监测电路及监测系统 [P].

尹超 .

中国专利 :CN115616277A ,2023-01-17

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